Simulasi Karakteristik Elektron dan Hole pada Daerah Pertemuan Dioda Silikon

Abstract

Simulasi Karakteristik Elektron dan Hole pada Daerah Pertemuan Dioda Silikon. Telah dilakukan simulasi mengenai karakteristik elektron dan hole pada daerah pertemuan dioda silikon. Simulasi dilakukan menggunakan metoda finite element. Tiga kuantitas hasil simulasi yakni carrier density, current density, dan maximum electric field dipilih untuk dianalisa. Kurva-kurva hasil simulasi menunjukan tren yang relatif sama dengan kurva-kurva teoritis. Secara kuantitatif terdapat perbedaan antara perhitungan simulasi dengan perhitungan berdasarkan teori. Perbedaan tersebut kemungkinan disebabkan karena nilai-nilai parameter simulasi yang digunakan belum merupakan nilai-nilai optimal. Selain itu, pada proses simulasi, penyelesaian persamaan-persamaan transport semikoniduktor dilakukan secara aproksimasi menggunakan metoda finite element dimana akurasi hasilnya sangat ditentukan oleh ukuran elemen yang digunakan.