., M., Sumirat, I. and Muliawati, F. 2020. SIMULASI PENGARUH KONSENTRASI DOPING DAN FRAKSI MOL GERMANIUM TERHADAP BANDGAP NARROWING PADA HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR Si-Ge MENGGUNAKAN MATLA. JuTEkS (Jurnal Teknik Elektro dan Sains). 7, 2 (Feb. 2020). DOI:https://doi.org/10.32832/juteks.v7i2.13494.