., M.; SUMIRAT, I.; MULIAWATI, F. SIMULASI PENGARUH KONSENTRASI DOPING DAN FRAKSI MOL GERMANIUM TERHADAP BANDGAP NARROWING PADA HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR Si-Ge MENGGUNAKAN MATLA. JuTEkS (Jurnal Teknik Elektro dan Sains), [S. l.], v. 7, n. 2, 2020. DOI: 10.32832/juteks.v7i2.13494. Disponível em: http://150.107.142.43/index.php/JUTEKS/article/view/13494. Acesso em: 15 nov. 2024.