., Muhidin, Iwan Sumirat, and Fithri Muliawati. “SIMULASI PENGARUH KONSENTRASI DOPING DAN FRAKSI MOL GERMANIUM TERHADAP BANDGAP NARROWING PADA HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR Si-Ge MENGGUNAKAN MATLA”. JuTEkS (Jurnal Teknik Elektro dan Sains) 7, no. 2 (February 1, 2020). Accessed November 15, 2024. http://150.107.142.43/index.php/JUTEKS/article/view/13494.