. M, Sumirat I, Muliawati F. SIMULASI PENGARUH KONSENTRASI DOPING DAN FRAKSI MOL GERMANIUM TERHADAP BANDGAP NARROWING PADA HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR Si-Ge MENGGUNAKAN MATLA. JuTEkS [Internet]. 2020 Feb. 1 [cited 2024 Nov. 15];7(2). Available from: http://150.107.142.43/index.php/JUTEKS/article/view/13494